Tin về HBM

Theo Seoul Economic Daily, Samsung Electronics đang hợp tác với TSMC sử dụng quy trình 3nm của TSMC để sản xuất base die cho thế hệ chip HBM tùy chỉnh tiếp theo của Nvidia, đánh dấu lần đầu Samsung hợp tác với TSMC ở công đoạn sản xuất HBM. Base die được tích hợp bộ điều khiển bộ nhớ vốn nằm trên GPU, giúp giải phóng không gian GPU; cùng với việc thu nhỏ lớp vật lý 60%, thiết kế này được cho là tăng băng thông bộ nhớ tới 30% và giảm 15% tiêu thụ điện so với HBM4E tiêu chuẩn. Theo nguồn tin, hiệu suất sản xuất của TSMC trên quy trình này vượt 90%, so với khoảng 60% của quy trình 2nm tương đương của Samsung, điều này hỗ trợ việc tập trung sản xuất tại TSMC. Nhu cầu HBM tăng mạnh, UBS dự báo năm sau cần khoảng 61,5 tỷ gigabit, tăng 91% so với năm nay, trong khi nguồn cung có thể thiếu khoảng 10%.